معرفي و تاريخچه
ويليام تامپسون و بعداً لورد كلوين، براي اولين بار اثر مگنتور زيستيو در سال 1856 در مواد فرومغناطيسي مشاهده نمودند. اين كشف تا حدود 100 سال بعد كه تكنولوژي ساخت فيلم هاي نازك بدست آمد بدون استفاده باقي ماند.

همانطور كه از نام آن برمي آيد ، با تغيير ميدان مغناطيسي مقاومت الكتريكي اين مواد تغيير مي كند.
در بيشتر مواد مغناطيسي، زماني که يک ميدان مغناطيسي اعمال مي شود و( H ) عمود بر جهت جريان باشد مقاومت الکتريکي کاهش مي يابد. کاهش مقاومت در ازاي افزايش چگالي شار مغناطيسي( B ) است و تا زماني که ماده به اشباع برود ادامه مي يابد. وقتي ميدان مغناطيسي موازي جهت جريان الکتريکي است با افزايش شدت ميدان مغناطيسي مقاومت افزايش مي يابد. به اين پديده مگنتورزيستيو(MR  ) مي گويند.

اين پديده نتيجه دو عمل است:

1- کاهش سرعت حاملهاي مقدم به سبب مجبور شدن حاملها به حرکت از يک طرف.

2- کاهش مقطع عرضي مؤثر هادي به سبب حرکت گروهي حاملها در يک طرف.
در حقيقت:

(Resistivity = Voltage / (  Carrier density  *  Carrier velocity

 


 


برمبناي اندازه تغييرات مقاومت الكتريكي در ازاي تغيير ميدان مغناطيسي به سه دسته تقسيم مي شوند :
lAnisotropic Magnetoresistive (AMR)

Giant Magnetoresistive (GMR)

lColossal Magnetoresistance (CMR)

 

پركاربرد ترين دسته سنسورهاي MR  ، دسته AMR مي باشد كه پهناي باند بين 1 - 5 مگاهرتز دارند و عكس العمل آنها بسيار سريع است.


كاربرد هاي MRسنسورهاي در هدهاي خواندن نوارهاي صوتي، سرعت چرخ اتومبيل و ميل لنگ، در ناوبري، شناسايي وسيله نقليه (Vehicle  Deteetion) وسنسورهاي جريان و  ...  مي باشد.